سیلیکۆن

لە ویکیپیدیاوە، ئینسایکڵۆپیدیای ئازاد
باز بدە بۆ: ڕێدۆزی، گەڕان
فسفۆرسیلیکۆنئەلەمنیۆم
C

Si

Ge
پیشاندان
شێوەی کریستالین


هێڵە شەبەنگییەکانی سیلیکۆن
تایبەتمەندییە گشتییەکان
ناو، ژمارە، ھێما سیلیکۆن، 14، Si
پۆلێنکردنی توخم کانزای لێکچوو
کۆمەڵە، خول، خشتۆک 14، 3، p
گەردیلە بارستە 28.0855گ•مۆڵ−1
شێوگی ئەلیکترۆنی [Ne] 3s2 3p2
ڕیزبوونی ئەلیکترۆنەکان بۆ ھەر بەرگێک 2, 8, 4 (وێنە)
سیفاتە فیزیاییەکان
دۆخ ڕەق
چڕی (لە پلەی گەرمی ژوور) 2.3290 گ•سم−3
چڕی شل لە قۆناغی توانەوە 2.57 گ•سم−3
قۆناغی توانەوە 1687 ک، 1414 °س، 2577 °ف
قۆناغی کوڵان 3538 ک، 3265 °س، 5909 °ف
پلەی گەرمای توانەوە 50.21 کیلۆجول•مۆڵ−1
حرارة التبخر 359 کیلۆجول•مۆڵ−1
السعة الحرارية (25 °س) 19.789 جول•مۆڵ−1•کێلڤن−1
پەستانی ھەڵم
P (پاسکاڵ) 1 10 100 1 کیلۆ 10 کیلۆ 100 کیلۆ
لە T (کێلڤن) 1908 2102 2339 2636 3021 3537
سیفاتە ئەتۆمییەکان
أرقام الأكسدة 4, 3 , 2 , 1[١] -1, -2, -3, -4
(amphoteric oxide)
کارۆ سالیبێتی 1.90 (پێوەری بۆلینگ)
وزەکانی ئایۆناندن یەکەم: 786.5 کیلۆجول•مۆڵ−1
دووەم: 1577.1 کیلۆجول•مۆڵ−1
سێیەم: 3231.6 کیلۆجول•مۆڵ−1
نیوە تیرەی گەردیلەیی 111 بیکۆمەتر
نیوە تیرەی گەردیلە ھاوبەشی 111 بیکۆمەتر
نیوە تیرەی ڤان دێر والز 210 بیکۆمەتر
تایبەتمەندییەکانی تر
پێکھاتەی کریستاڵی ئەڵماسی شەشپاڵویی
باری موگناتیسی دایا موگناتیس[٢]
بەرگری کارەبایی 103[٣]أوم•متر (20 °س)
گەیاندنی گەرمی 149 واط•متر−1•كلفن−1 (300 کێلڤن)
بڵاوبوونەوەی گەرمی 2.6 میکرۆمەتر•مەتر−1•کێلڤن−1 (25 °س)
خێرایی دەنگ (سلك رفيع) 8433 مەتر/چرکە (20 °س)
ھاوبەشی یۆنگ 130-188[٤] گێگاپاسکاڵ
ھاوبەشی شێئر 51-80[٤] گێگاپاسکاڵ
ھاوبەشی قەبارە 97.6[٤] گێگاپاسکاڵ
ڕێژەی پۆیسۆن 0.064 - 0.28[٤]
ڕەقی مۆس 7
ژمارەی تۆمارکردن 7440-21-3
طاقة فجوة النطاق عند 300 کێلڤن 1.12 eV
نەگۆڕترین ھاوتاکان
وتاری سەرەکی: ھاوتای سیلیکۆن
ھاوتاکان بوونی لە سروشت نیوە تەمەن جۆری تیشک ھێزی تیشک (مێگا ئەلیکترۆن ڤۆڵت) بەرھەمی تیشک
28Si 92.23% 28Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 14 نیوترۆن
29Si 4.67% 29Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 15 نیوترۆن
30Si 3.1% 30Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 16 نیوترۆن
32Si trace 170 y β 13.020 32P


سیلیکۆن (بە ئینگلیزی: Silicon) یەکێکە لە توخمە کیماییەکان و هێمای گەردیلەیی (Si)یە و گەردیلە ژمارەی (١٤)یە.





پەراوێزەکان[دەستکاری]

  1. Ram, R. S. et al. (1998). "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD". J. Mol. Spectr. 190: 341–352. PMID 9668026. 
  2. Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., ed. (2005). CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th ed.). Boca Raton (FL): CRC Press. ISBN 0-8493-0486-5. 
  3. Physical Properties of Silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
  4. ٤٫٠ ٤٫١ ٤٫٢ ٤٫٣ [١] Hopcroft, et al., "What is the Young's Modulus of Silicon?" IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, 2010